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HLC150N120W4引脚图
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HLC150N120W4

HLC150N120W4/SiC/Single N/1200V/150A/12mΩ

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描述
SiC;1个N沟道;VDSS:1200V;ID:150A;VGS:-4~22V;VTH:3.5V;RDS(ON):12mΩ;PD:675W
品牌名称
HL(富海微)
商品型号
HLC150N120W4
商品编号
C54803039
商品封装
TO-247-4L​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
类型N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)150A
耗散功率(Pd)675W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)107nC
输入电容(Ciss)1.337nF
反向传输电容(Crss)27pF
输出电容(Coss)76pF
导通电阻(RDS(on))16mΩ

数据手册PDF