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JMTM8205A
双N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 特性：20V, 5A。 RDS(ON) <26mΩ @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) <34mΩ @ VGS = 2.5V。 先进的沟槽技术。 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 获得无铅产品认证。应用：负载开关。 PWM应用
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMTM8205A
- 商品编号
- C5173657
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@2.5V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 60V、300mA，VGS = 10V 时 RDS(ON) = 1.7Ω
- 快速开关
- 有环保器件可选
- 2KV 人体模型静电放电抗扰度
应用领域
- 笔记本电脑-智能手机-电池保护-手持仪器
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