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JMSL10130AL-7
100V、105mΩ N沟道功率MOSFET
- 描述
- 特性：低RDS(ON)。 低栅极电荷。 无铅镀铅。 无卤且符合RoHS标准。应用：电信电源管理。 工业自动化
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMSL10130AL-7
- 商品编号
- C5173715
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@10V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 720mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 103pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.9pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这类n沟道功率MOSFET场效应晶体管具有低传导功率损耗、高输入阻抗、高开关速度和线性传输特性，因此可用于各种功率转换应用。 UF640适用于谐振和PWM转换器拓扑。
商品特性
- 在栅源电压（VGS） = 10V、漏极电流（ID） = 10A时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 0.18欧姆
- 超低栅极电荷（典型值43nC）
- 低反向传输电容（CRSS = 典型值100pF）
- 快速开关能力
- 规定了雪崩能量
- 改善了dv/dt能力，具有高耐用性
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