温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
JMSL10130AL-7
100V、105mΩ N沟道功率MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：低RDS(ON)。 低栅极电荷。 无铅镀铅。 无卤且符合RoHS标准。应用：电信电源管理。 工业自动化
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMSL10130AL-7
- 商品编号
- C5173715
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 720mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 103pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这类n沟道功率MOSFET场效应晶体管具有低传导功率损耗、高输入阻抗、高开关速度和线性传输特性，因此可用于各种功率转换应用。 UF640适用于谐振和PWM转换器拓扑。
商品特性
- 低 RDS(ON)
- 低栅极电荷
- 无铅引脚电镀
- 无卤且符合 RoHS 标准
应用领域
- 电信、工业自动化、消费电子领域的电源管理
- DC/DC 和 AC/DC 子系统中的电流切换
其他推荐
- CA55-D035M476TE150
- CA55-H025M476T
- MBR10150CD
- MBR20150CD
- MBRT10100CD
- MBRT10150CD
- MBRT20100CD
- MBRT20150CD
- TPSB106K025R1800
- CH9340C
- N2510-6V0C-RB-WD
- URB2412JMT-3W
- 513-404-10C
- MAX22007ETN+
- RPMT08T2MOE-JS NP15TF
- RPMW1003MO NP15TF
- RPMT10T3MOE-JS NP15TF
- RPMT1204MOE-JS NP15TF
- APMT1135PDER-H2 NP15TF
- APMT1135PDER-M2 NP15TF
- APMT1604PDER-H2 NP15TF