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MLG40T65FDL-W
IGBT 650V 40A
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- 描述
- 采用先进的沟槽栅场截止技术(Trench FS技术)，集射极击穿电压Vces=650V，集电极电流Ic=40A，具有导通压降低和关断损耗小等优点，适用于光伏逆变，储能，UPS，电焊等应用场景
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MLG40T65FDL-W
- 商品编号
- C54770473
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.73克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 160A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 35uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.45V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.125nF | |
| 输出电容(Coes) | 157pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 24pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 20ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 112ns | |
| 导通损耗(Eon) | 650uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 680uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 45ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
MLG40T65FDL-W采用先进的沟槽场截止（T-FS）技术制造，具有低集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）、优化的开关性能和低栅极电荷（Qg）的特点。该IGBT适用于光伏、UPS和高开关频率应用。
商品特性
- 650V击穿电压
- 快速开关
- 低集电极-发射极饱和电压，典型值为1.45V（集电极电流IC = 40A，壳温TC = 25℃）
- 正温度系数
- 快速恢复反并联二极管
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
- 光伏转换器
- UPS