- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MLG50N60FDK
IGBT 600V 50A
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- 描述
- 采用先进的沟槽栅场截止技术(Trench FS技术)，集射极击穿电压Vces=600V，集电极电流Ic=50A，具有导通压降低和关断损耗小等优点，适用于光伏逆变，储能，UPS，电焊等应用场景
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MLG50N60FDK
- 商品编号
- C54770479
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 50A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 200A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 35uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.65V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.165nF | |
| 输出电容(Coes) | 60pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 26pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 21ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 88ns | |
| 导通损耗(Eon) | 800uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 500uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 48ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
MLG50N60FDK采用先进的沟槽场截止（T-FS）技术制造，具有低集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）、优化的开关性能和低栅极电荷（Qg）的特点。该IGBT适用于光伏、UPS和高开关频率应用。
商品特性
- 600V击穿电压
- 快速开关
- 低集电极-发射极饱和电压，典型值为1.65V（集电极电流IC = 50A，壳温TC = 25°C）
- 正温度系数
- 快速恢复反并联二极管
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
- 光伏转换器
- UPS