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TC4432VPA-TUDI
2A高速MOSFET驱动器，具备行业标准引脚输出、高电流驱动能力、独特双极和CMOS输出级
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- 描述
- 栅极驱动芯片
- 品牌名称
- Tudi(钍地半导体)
- 商品型号
- TC4432VPA-TUDI
- 商品编号
- C54741429
- 商品封装
- DIP-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.8595克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边；高边 | |
| 负载类型 | MOSFET、IGBT | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 2A | |
| 拉电流(IOH) | 2A | |
| 工作电压 | 4.5V~25V | |
| 上升时间(tr) | 35ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 36ns | |
| 传播延迟 tpLH | 60ns | |
| 传播延迟 tpHL | 63ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP)；过热保护(OTP) | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.6V | |
| 输入低电平(VIL) | 700mV | |
| 功能特性 | 欠压保护；过热保护 |
商品概述
TC4431/4432是高电流缓冲器/驱动器，能够驱动大型MOSFET和绝缘栅双极晶体管（IGBT）。TC4431/4432具有匹配的输出上升和下降时间，以及匹配的前沿和后沿传播延迟时间。TC4431/4432器件的交叉导通电流也非常低，可降低器件的整体功耗。
这些器件基本上不受任何形式的干扰影响，除非是直接过压或过耗。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，它们都不会被锁存。当接地端子出现高达5V的接地反弹时，这些部件不会受到损坏或出现不当操作。它们可以承受超过1A的任一极性的感应电流被强制反馈到其输出端，而不会损坏或出现逻辑混乱。此外，所有端子都具有高达4kV的静电放电保护。TC4431/4432的输入可以直接由TTL或CMOS（3V至25V）驱动。此外，输入内置了300mV的迟滞，提供抗噪能力，并允许器件由缓慢上升或下降的波形驱动。凭借表面贴装和通孔封装，以及较宽的工作温度范围，2A MOSFET驱动器TC4431/4432系列适用于大多数需要高栅极/线路电容驱动的应用。
商品特性
- 具有附加使能功能的行业标准引脚排列
- 在平坦区域使用TrueDrive实现±2A高峰值电流驱动能力
- 采用独特的双极和CMOS输出级实现高效恒流源
- 与电压无关的TTL/CMOS兼容输入
- 10nF负载下典型上升和下降时间为20ns
- 输入下降和上升的典型传播延迟分别为25ns和5ns
- 4.5V至25V电源电压
- 热增强型MSOP PowerPAD，热阻θjc为4.7°C/W
- 额定温度范围为 -40°C至105°C
- 8引脚SOIC和PDIP封装采用铅表面处理（CU NIPDAU）
应用领域
- 重载线路的线路驱动器
- 脉冲发生器
- 驱动大型MOSFET和IGBT
- 本地电源开关
- 电机和螺线管驱动器
- 低频启动器