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LW3139BDA

LW3139BDA

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商品型号
LW3139BDA
商品编号
C54740791
商品封装
DFN1006-3L​
包装方式
编带
商品毛重
0.01402克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)800mA
导通电阻(RDS(on))350mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)350mW
阈值电压(Vgs(th))750mV
栅极电荷量(Qg)1.48nC
属性参数值
输入电容(Ciss)84pF
反向传输电容(Crss)8.72pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型P沟道
输出电容(Coss)13.7pF
栅极电压(Vgs)±10V

商品概述

LW3139BDA采用沟槽技术和设计,可提供出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。它可用于多种应用。封装形式为DFN1006 - 3L,符合ROHS标准和无卤标准。

商品特性

  • 快速开关
  • 低栅极电荷和导通电阻(RDS(ON))
  • 低反向传输电容
  • ESD等级:HBM≥2000V

应用领域

  • 电池开关应用
  • 硬开关和高频电路
  • 电源管理

数据手册PDF