温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ZXMN10A07ZTA-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:4.2A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款一款单通道N沟道场效应管，采用Trench技术，用于低功耗电子设备、医疗器械、LED照明控制、智能家居等多种领域和模块。SOT89-3；N—Channel沟道,100V；4.2A；RDS(ON)=102mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- ZXMN10A07ZTA-VB
- 商品编号
- C558309
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 102mΩ@10V；120mΩ@6V；125mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 196pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 67pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- DC/DC转换器/升压转换器-负载开关-液晶电视的LED背光-移动计算设备的电源管理
相似推荐
其他推荐