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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MEM4N60A3G

N沟道功率MOSFET

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描述
开关稳压器应用。高电压、高速。
商品型号
MEM4N60A3G
商品编号
C558567
商品封装
TO-220F-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.66克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))2.3Ω@10V,2A
耗散功率(Pd)33W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.8V
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)676pF@25V
反向传输电容(Crss)19.7pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

  • 开关稳压器应用。 高电压、高速。
  • 开关应用。

商品特性

  • 600V、4A
  • RDS(ON)=2.3Ω@VGS=10V
  • 低CRSS
  • 快速开关
  • 封装:TO251、TO251S、TO252、TO-220F

数据手册PDF