我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
PESDR0521P1L实物图
  • PESDR0521P1L商品缩略图
  • PESDR0521P1L商品缩略图
  • PESDR0521P1L商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PESDR0521P1L

双向TVS 5V截止 峰值浪涌电流:4A@8/20us

描述
PESDR0521P1L是一款双向瞬态电压抑制(TVS)二极管,具备快速响应时间和低静电放电(ESD)钳位电压,使其成为保护电压敏感高速数据线的理想选择。PESDR0521P1L具有超低电容,典型值为0.23pF,符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,可承受±20kV空气放电和±20kV接触放电。
品牌名称
PN SILICON(智晶)
商品型号
PESDR0521P1L
商品编号
C557971
商品封装
DFN1006-2​
包装方式
编带
商品毛重
0.027克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静电和浪涌保护(TVS/ESD)
极性双向
反向截止电压(Vrwm)5V
钳位电压13.5V
峰值脉冲电流(Ipp)4A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)55W@8/20us
属性参数值
击穿电压10V
反向电流(Ir)100nA
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2
类型TVS
Cj-结电容0.23pF

商品概述

PESDR0521P1L是一款双向瞬态电压抑制(TVS)二极管,具有快速响应时间和低静电放电(ESD)钳位电压,是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。PESDR0521P1L具有超低电容,典型值为0.23pF,符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,空气放电和接触放电均可达±20kV。该器件采用超小型1.0x0.6x0.5mm无铅DFN封装。其小尺寸、超低电容和高浪涌保护能力,使PESDR0521P1L成为保护手机、数字视频接口和其他高速端口的理想选择。

商品特性

  • 超小型封装:1.0x0.6x0.5 mm
  • 超低电容:典型值0.23 pF
  • 低工作电压:5 V
  • 低钳位电压
  • 双引脚无引线封装
  • 符合以下标准:
    • IEC 61000 - 4 - 2(ESD)抗扰度测试 空气放电:±20kV 接触放电:±20kV
    • IEC 61000 - 4 - 4(EFT)40A(5/50ns)
    • IEC 61000 - 4 - 5(雷击)4A(8/20μs)
  • 符合RoHS标准

应用领域

-手机及配件-显示端口-MDDI端口-USB端口-数字视频接口(DVI)-PCI Express和串行SATA端口

数据手册PDF