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PM2301
20V P沟道MOSFET
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- 描述
- PM2301采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷条件下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于脉冲宽度调制（PWM）、负载开关和通用应用。
- 品牌名称
- PN SILICON(智晶)
- 商品型号
- PM2301
- 商品编号
- C557972
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 715pF@6V | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF@6V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 20 个)个
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