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JMTG130P04A
P沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 特性：VDS = -40V，ID = -35A。 RDS(ON) < 12.5mΩ @ VGS = -10V。 RDS(ON) < 18.5mΩ @ VGS = -4.5V。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 获得无铅产品认证。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMTG130P04A
- 商品编号
- C5159451
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.304823克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 38W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.8nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FH1910G采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可应用于多种领域。
商品特性
- VDS = -40 V,ID = -35 A
- 当VGS = -10 V时,RDS(ON) < 12.5 mΩ
- 当VGS = -4.5 V时,RDS(ON) < 18.5 mΩ
- 先进的沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 产品无铅
应用领域
-PWM应用-负载开关-电源管理