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FH8613G1

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描述: FH8613G1是一款内置MOSFET的单节锂电池保护芯片。该芯片具有非常低的功耗和非常低阻抗的内置MOSFET。该芯片有充电过压，充电过流，放电过压，放电过流，过热，短路等各项保护等功能，确保电芯安全，高效的工作。
品牌名称: 鑫飞宏
商品型号: FH8613G1
商品编号: C5159062
商品封装: DFN-4L(1x1)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.02克(g)

商品参数

商品概述

FH8613G1是一款内置MOSFET的单节锂电池保护芯片。该芯片具有非常低的功耗和非常低阻抗的内置MOSFET。该芯片有充电过压，充电过流，放电过压，放电过流，过热，短路等各项保护等功能，确保电芯安全，高效的工作。FH8613G1采用超小的DFN1x1 - 4L封装，封装高度为0.37mm。外围只需要一个电阻和一个电容，应用极其简洁，工作安全可靠。FH8613G1监控电池的电压和电流，并通过断开充电器或者负载，保护单节可充电锂电池不会因为过充电压、过放电压、过放电流以及短路等情况而损坏。这些功能都使可充电电池工作在指定的范围内。该芯片仅需一颗外接电容和一个外接电阻，MOSFET已内置，等效电阻的典型值为60mΩ。FH8613G1支持四种运行模式：正常工作模式、充电工作模式、放电工作模式和休眠工作模式。

商品特性

内置60mΩ MOSFET
散热好的DFN1x1 - 4L封装
内置过温保护
超小静态电流和休眠电流：静态工作电流为1.5μA，休眠电流为0.4μA
符合欧洲 "ROHS" 标准的无铅产品

应用领域

单节锂离子可充电电池组
单节锂聚合物可充电电池组

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	属性	参数值
	商品目录	电池管理
	芯片类型	保护芯片
	工作电压	300mV~8V
	最大充电电流	1A
	充电饱和电压	4.3V

	属性	参数值
	放电截止电压	2.8V
	电池类型	锂电池
	电池节数	1
	0V电池充电	支持
	静态电流(Iq)	400nA