温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ASDM2305ZA-R
ASDM2305ZA-R
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- ASDsemi(安森德)
- 商品型号
- ASDM2305ZA-R
- 商品编号
- C5158914
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 960mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -20V,漏极电流(ID) = -5.4A
- 栅源电压(VGS) = -2.5V时,导通电阻(RDS(ON)) < 60mΩ
- 栅源电压(VGS) = -4.5V时,导通电阻(RDS(ON)) < 4.5mΩ
- 高功率和高电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
应用领域
- 电机控制与驱动
- 电池管理
- 不间断电源(UPS)