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GW1N-LV9MG100C7/I6引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

GW1N-LV9MG100C7/I6

GW1N-LV9MG100C7/I6

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品牌名称
GOWIN(高云)
商品型号
GW1N-LV9MG100C7/I6
商品编号
C5156958
商品封装
MBGA-100​
包装方式
托盘
商品毛重
1克(g)

商品参数

暂无内容图标

参数完善中

商品特性

  • 低功耗
  • 55纳米嵌入式闪存工艺
  • LV版本:支持1.2伏核心电压
  • UV版本:支持器件VCC、VCCIO、VCCX由单一电源供电
  • 支持时钟动态打开与关闭
  • 用户闪存资源(适用于GW1N-1和GW1N-1S)
  • NOR闪存
  • 十万次写寿命周期
  • 超过十年的数据保存能力(在85℃条件下)
  • 可选的数据输入输出位宽:8位、16位或32位
  • 页存储空间:256字节
  • 待机电流:3微安
  • 页写入时间:8.2毫秒
  • 用户闪存资源(适用于GW1N-1P5、GW1N-2、GW1N-4、GW1N-9)
  • NOR闪存
  • 一万次写寿命周期
  • 超过十年的数据保存能力(在85℃条件下)
  • 数据位宽:32位
  • GW1N-1P5/2存储容量:96千比特
  • GW1N-4存储容量:256千比特
  • GW1N-9存储容量:608千比特
  • 页擦除能力:2048字节
  • 字编程时间:小于或等于16微秒
  • 页擦除时间:小于或等于120毫秒
  • 配置闪存资源(适用于GW1N-1和GW1N-1S)
  • NOR闪存
  • 十万次写寿命周期
  • 超过十年的数据保存能力(在85℃条件下)
  • 配置闪存资源(适用于GW1N-1P5、GW1N-2、GW1N-4、GW1N-9)
  • NOR闪存
  • 一万次写寿命周期
  • 超过十年的数据保存能力(在85℃条件下)
  • 硬核MIPI D-PHY接收器(适用于GW1N-2)
  • 支持MIPI DSI和MIPI CSI-2接收器器件接口
  • 在CS42、CS42H、QN48H、QN88、MG132H封装中,IOBank6支持MIPI D-PHY接收器
  • MIPI传输速率单通道可达2吉比特每秒
  • 支持最多四个数据通道和一个时钟通道
  • GPIO支持MIPI D-PHY接收器与发送器
  • 支持MIPI CSI-2和MIPI DSI的接收器与发送器器件接口,传输速率单通道可达1.2吉比特每秒
  • 可选三种输入输出类型:TLVDS、ELVDS、MIPI IO
  • 支持多种输入输出电平标准
  • LVCMOS33/25/18/15/12;LVTTL33,SSTL33/25/18 I,SSTL33/25/18 II,SSTL15;HSTL18 I,HSTL18 II,HSTL15 I;PCI,LVDS25,RSDS,LVDS25E,BLVDSE,MLVDSE,LVPECLE,RSDSE
  • 提供输入信号迟滞选项
  • 提供输出信号驱动电流选项
  • 对每个输入输出提供独立的BusKeeper、上拉/下拉电阻及开漏输出选项
  • 支持热插拔
  • 高性能数字信号处理模块(适用于GW1N-4/9)
  • 高性能数字信号处理能力
  • 支持9×9位、18×18位、36×36位的乘法运算和54位累加器
  • 支持多个乘法器级联
  • 支持寄存器流水线和旁路功能
  • 预加运算实现滤波器功能
  • 支持桶形移位寄存器
  • 丰富的基本逻辑单元
  • 4输入查找表
  • 支持移位寄存器和分布式存储器
  • 支持多种模式的静态随机存储器

数据手册PDF