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SLF70R900S2
停产 700V N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 这款功率MOSFET采用Maple semi的先进平面条形DMOS技术制造。这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正
- 品牌名称
- Maplesemi(美浦森)
- 商品型号
- SLF70R900S2
- 商品编号
- C556841
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.23克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 24W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 360pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 21pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS技术制造。该先进技术经过特别设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 5A、700V,RDS(on)典型值 = 0.8 Ω(VGS = 10 V时)
- 扩展的安全工作区
- 易于并联
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 高效开关模式电源
- 基于半桥拓扑的有源功率因数校正