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DN3545N8-G

1个N沟道耐压:450V 电流:200mA

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描述: DN3545 耗尽型常开晶体管采用先进的垂直扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合造就了一种兼具双极晶体管功率处理能力以及金属氧化物半导体（MOS）器件固有高输入阻抗和正温度系数特性的器件。作为所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象
品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: DN3545N8-G
商品编号: C556892
商品封装: SOT-89-3
包装方式: 编带
商品毛重: 0.108克(g)

商品参数

商品概述

DN3545 耗尽型常开晶体管采用先进的垂直扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使该器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及金属氧化物半导体（MOS）器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象。垂直 DMOS 场效应晶体管（FET）非常适合广泛的开关和放大应用，这些应用需要极低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。

商品特性

高输入阻抗
低输入电容
快速开关速度
低导通电阻
无二次击穿
低输入和输出泄漏电流

应用领域

常开开关
固态继电器
转换器
线性放大器
恒流源
电源电路
电信

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	450V
	连续漏极电流(Id)	200mA
	导通电阻(RDS(on))	20Ω@0V,150mA

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	1.6W
	阈值电压(Vgs(th))	1.5V
	输入电容(Ciss)	360pF@5V
	反向传输电容(Crss)	15pF
	工作温度	-55℃~+150℃