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MGSF1N02LT1G(ES)
N沟道,20V,3.3A,45mΩ@4.5V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
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- 描述
- N沟道,20V,3.3A,45mΩ@4.5V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- MGSF1N02LT1G(ES)
- 商品编号
- C54533326
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032833克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
MGSF1N02LT1G(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路。标准产品 MGSF1N02LT1G(ES) 为无铅产品。
商品特性
- 20V，当 VGS = 4.5V 时，RDS(ON) = 45mΩ（典型值）
- 当 VGS = 2.5V 时，RDS(ON) = 62mΩ（典型值）
- 高密度单元设计，实现低导通电阻（RDS(on)）
- 材料：无卤
- 可靠且耐用
- 具备 ESD 保护
- 低泄漏电流
应用领域
- PWM 应用
- 负载开关
- 便携式/台式 PC 的电源管理
- DC/DC 转换