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SLF65R420S2
停产 650V N沟道MOSFET
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- 描述
- 这款功率MOSFET采用Maple semi的先进超结技术制造。这项先进技术经过特别设计，可最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。
- 品牌名称
- Maplesemi(美浦森)
- 商品型号
- SLF65R420S2
- 商品编号
- C556836
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 330mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC | |
| 输入电容(Ciss) | 632pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 37pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的超结技术制造。 这项先进技术经过特别设计,可最大限度地降低传导损耗,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件非常适合在开关模式操作中进行AC/DC功率转换,以提高效率。
商品特性
- 11A、650V,VGS = 10V时,RDS(on)典型值 = 0.33Ω
- 低栅极电荷(典型值23nC)
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力