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SLF60R850S2
停产 600V N沟道MOSFET
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- 描述
- 该功率MOSFET采用先进的超结MOSFET技术。该先进技术经过特别设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合用于高效开关电源。
- 品牌名称
- Maplesemi(美浦森)
- 商品型号
- SLF60R850S2
- 商品编号
- C556832
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 850mΩ@10V,2.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 29W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 315pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用Maple semi先进的超结MOSFET技术制造。这项先进技术经过特别优化，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源。
商品特性
- 5A、600V，在VGS = 10V时，RDS(on) = 850mΩ
- 低栅极电荷
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%经过雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
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