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SLF60R650S2
停产 N沟道MOSFET
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- 描述
- 该功率MOSFET采用先进的超结技术。这种先进技术经过特别设计，可最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合用于开关模式操作的AC/DC电源转换，以实现更高的效率。
- 品牌名称
- Maplesemi(美浦森)
- 商品型号
- SLF60R650S2
- 商品编号
- C556831
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@10V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 427pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的超结技术制造。 这项先进技术经过特别设计，可将传导损耗降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件非常适合用于开关模式操作的AC/DC电源转换，以实现更高的效率。
商品特性
- 7A、600V，RDS(on)典型值 = 0.48Ω（VGS = 10V时）
- 低栅极电荷（典型值16nC）
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
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