温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SLF60R190S2
1个N沟道 耐压:600V 电流:20A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- Maplesemi(美浦森)
- 商品型号
- SLF60R190S2
- 商品编号
- C556827
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 160mΩ@10V,10A | |
| 功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.174nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 4pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的超结技术制造。该先进技术经过特别设计，可最大程度降低导通损耗，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合用于开关模式操作的AC/DC电源转换，以实现更高的效率。
商品特性
- 20A、600V，RDS(导通)典型值 = 0.16 Ω @ VGS = 10 V
- 低栅极电荷（典型值39nC）
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
其他推荐
- MSP02120G1
- MCP6044T-I/SL
- MCP809T-475I/TT
- DN3545N8-G
- VP810JEUR/T
- MAX6495ATT+T
- DS18S20Z+T&R
- MAX13432EESD+T
- MAX8865TEUA+T
- AFE4410YZR
- C2220X106K101T
- ERS1VM221G12OT
- ERS1HM561W20OT
- NRF52811-QFAA-R
- DSPIC30F6014A-30I/PF
- DSPIC33EP64MC204-I/PT
- MCP111T-240E/TT
- MCP1701AT-3302I/CB
- MCP1701AT-5002I/MB
- MCP1703T-1802E/CB
- MCP1703T-3002E/CB