温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SLD70R900S2
停产 700V N沟道功率MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款功率MOSFET采用Maple semi的先进平面条形DMOS技术制造。这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正
- 品牌名称
- Maplesemi(美浦森)
- 商品型号
- SLD70R900S2
- 商品编号
- C556820
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 58W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 360pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 21pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS技术制造。该先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 5A、700V，RDS(on)典型值 = 0.8 Ω（VGS = 10 V时）
- 扩展的安全工作区
- 易于并联
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 高效开关模式电源
- 基于半桥拓扑的有源功率因数校正
其他推荐
- MSP02120G1
- MCP6044T-I/SL
- MCP809T-475I/TT
- DN3545N8-G
- VP810JEUR/T
- MAX6495ATT+T
- DS18S20Z+T&R
- MAX13432EESD+T
- MAX8865TEUA+T
- AFE4410YZR
- C2220X106K101T
- ERS1VM221G12OT
- ERS1HM561W20OT
- NRF52811-QFAA-R
- DSPIC30F6014A-30I/PF
- DSPIC33EP64MC204-I/PT
- MCP111T-240E/TT
- MCP1701AT-3302I/CB
- MCP1701AT-5002I/MB
- MCP1703T-1802E/CB
- MCP1703T-3002E/CB