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SLD70R420S2
1个N沟道 耐压:700V 电流:11A
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- 品牌名称
- Maplesemi(美浦森)
- 商品型号
- SLD70R420S2
- 商品编号
- C556818
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 370mΩ@10V,5.5A | |
| 功率(Pd) | 130W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 673pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 2.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款功率MOSFET采用Maple semi的先进超结技术制造。 这项先进技术经过特别设计，可将传导损耗降至最低，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。 这些器件非常适合用于开关模式操作的AC/DC电源转换，以实现更高的效率。
商品特性
- 11A、700V，VGS = 10V时，RDS(on)典型值 = 0.37Ω
- 低栅极电荷（典型值24nC）
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
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