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SLF7N65C
1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
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- 品牌名称
- Maplesemi(美浦森)
- 商品型号
- SLF7N65C
- 商品编号
- C556758
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.82克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.2Ω@10V,3.5A | |
| 功率(Pd) | 39W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 12pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低RDS(ON)——确保导通状态损耗降至最低。
- 小尺寸、热效率高的封装，可实现更高密度的终端产品。
- 仅占用SO - 8封装33%的电路板面积，可使终端产品更小。
- 100%经UIS（雪崩）额定测试。
- 100%经Rg测试。
- 完全无铅且完全符合RoHS标准。
- 无卤素和锑，是“绿色”器件。
- 通过AEC - Q101标准认证，具备高可靠性。
应用领域
-背光源-直流-直流转换器-电源管理功能
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