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SLF7N65C
1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
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- 品牌名称
- Maplesemi(美浦森)
- 商品型号
- SLF7N65C
- 商品编号
- C556758
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.82克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.2Ω@10V,3.5A | |
| 功率(Pd) | 39W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 12pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 7.0A、650V,RDS(on)典型值 = 1.2Ω(VGS = 10 V时)
- 低栅极电荷(典型值25nC)
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
-高效开关模式电源-基于半桥拓扑的有源功率因数校正
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