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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 430V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 530mΩ@10V,5.5A | |
| 功率 | 39.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 15.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 970pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 2.8pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用Maple semi的先进平面条形DMOS技术制造。这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
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