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SLF5N60C
1个N沟道 耐压:600V 电流:4.5A
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- 描述
- 该功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合用于高效开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
- 品牌名称
- Maplesemi(美浦森)
- 商品型号
- SLF5N60C
- 商品编号
- C556750
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V,2.25A | |
| 耗散功率(Pd) | 31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS技术制造。该先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 4.5A、600V，RDS（on）典型值 = 2.0 Ω @ VGS = 10 V
- 低栅极电荷（典型值16nC）
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
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