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SLF12N65C
1个N沟道 耐压:650V 电流:12A
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- 品牌名称
- Maplesemi(美浦森)
- 商品型号
- SLF12N65C
- 商品编号
- C556724
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.844克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 600mΩ@10V,6A | |
| 功率(Pd) | 42W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.214nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 13pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款功率MOSFET采用Maple semi的先进平面条纹DMOS技术制造。该先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 12A、650V，RDS(on)典型值 = 0.6 Ω（VGS = 10 V时）
- 低栅极电荷（典型值47nC）
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 高效开关模式电源-基于半桥拓扑的有源功率因数校正
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