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SLF10N65A
停产 650V N沟道MOSFET
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- 描述
- 这款功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS技术制造。这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合低压应用，如直流 - 直流转换器，以及便携式和电池供电产品中用于电源管理的高效开关
- 品牌名称
- Maplesemi(美浦森)
- 商品型号
- SLF10N65A
- 商品编号
- C556718
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 745mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 32.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.037nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 138pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS技术制造。这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合低电压应用，如DC/DC转换器，以及便携式和电池供电产品电源管理中的高效开关应用。
商品特性
- 10A、650V，VGS = 10 V时，RDS(导通)典型值 = 0.745 Ω
- 低栅极电荷（典型值19 nC）
- 低Crss（典型值5.3 pF）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- DC/DC转换器
- 便携式和电池供电产品电源管理中的高效开关
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