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IRF9317TR
1个P沟道 耐压:30V 电流:15A
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- 描述
- 该P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于各种应用。
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- IRF9317TR
- 商品编号
- C5155389
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@10V,10A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 4.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.3nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
4407A是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 该器件适用于作为负载开关，或用于大多数同步降压转换器应用中的PWM和栅极电荷。
商品特性
- -30V / -13A，漏源导通电阻RDS(ON) = 9mΩ（典型值），栅源电压VGS = -10V时
- -30V / -7.0A，漏源导通电阻RDS(ON) < 14.5mΩ（典型值），栅源电压VGS = -4.5V时
- 针对极低的漏源导通电阻RDS(ON)进行超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOP8封装设计
应用领域
-用于MB/NB/UMPC/GA的高频负载点同步降压转换器-网络DC-DC电源系统-负载开关-笔记本电脑电源管理