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IRFR5305
1个P沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- 此P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可用于多种应用。
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- IRFR5305
- 商品编号
- C5155388
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.535nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
SGT MOSFET技术 先进沟槽MOS技术 低栅极电荷 低漏源导通电阻（RDS(ON)） 100%保证耐雪崩能力 提供环保器件
商品特性
- 栅源电压（VGS）= 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)）= 7.3 mΩ（典型值）
应用领域
-负载开关-LED应用-网络应用-快速充电器