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SIF15N50F
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 340mΩ@10V,7.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 156W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.4nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 高功率和电流处理能力
- 低导通电阻
- 低总栅极电荷和电容损耗
- 符合RoHS标准且无卤素
应用领域
- PWM应用
- 功率负载开关
- 电池管理
- 无线充电器
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