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AO4407A
1个P沟道 耐压:30V 电流:13A
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- 描述
- 适用于各类中低电压、高效率开关应用。卓越的导通性能与低RDS(ON)，使之成为充电器、LED驱动、DC/DC转换等领域的理想选择。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AO4407A
- 商品编号
- C5155211
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.73nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 590pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合低压应用，如DC/DC转换器，以及便携式和电池供电产品中用于电源管理的高效开关。
商品特性
- 35A、60V，栅源电压 = 10 V时，漏源导通电阻典型值 = 15 mΩ
- 低栅极电荷（典型值33nC）
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- DC/DC转换器
- 便携式和电池供电产品中用于电源管理的高效开关