温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SGM48520XTDI6G/TR
SGM48520XTDI6G/TR
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- SGMICRO(圣邦微)
- 商品型号
- SGM48520XTDI6G/TR
- 商品编号
- C5153858
- 商品封装
- TDFN-6AL(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.056325克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 4A | |
| 拉电流(IOH) | 6A | |
| 工作电压 | 4.75V~5.25V | |
| 上升时间(tr) | 660ps | |
| 下降时间(tf) | 680ps |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP)；过热保护(OTP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.7V~2.6V | |
| 输入低电平(VIL) | 1.1V~1.8V | |
| 静态电流(Iq) | 75uA | |
| 功能特性 | 使能关断；交错导通保护 |
商品概述
高速单通道低侧驱动器SGM48520旨在驱动氮化镓场效应晶体管（GaN FET）和逻辑电平金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。应用领域包括激光、飞行时间测量、面部识别以及使用低侧驱动器的功率转换器。SGM48520提供6A的源电流和4A的灌电流输出能力。分离输出配置允许根据场效应晶体管进行单独的导通和关断时间优化。具有最小寄生电感的封装和引脚布局可减少上升和下降时间并限制振铃。此外，2.3ns的传播延迟且公差和变化极小，可实现高频下的高效运行。该驱动器具有内部欠压锁定和过温保护功能，可防止过载和故障事件。SGM48520提供绿色WLCSP - 0.88×1.28 - 6B和TDFN - 2×2 - 6AL封装。
商品特性
- 5V电源电压
- 6A峰值源电流和4A峰值灌电流
- 用于氮化镓和硅场效应晶体管的超快速低侧栅极驱动器
- 最小输入脉冲宽度：1ns
- 高达60MHz的工作频率
- 传播延迟：2.3ns（典型值）
- 上升时间：550ps（典型值）
- 下降时间：480ps（典型值）
- 保护特性：
- 欠压锁定（UVLO）
- 过温保护（OTP）
- 提供绿色WLCSP - 0.88×1.28 - 6B和TDFN - 2×2 - 6AL封装
应用领域
- 激光测距系统
- 5G射频通信系统
- 无线充电系统
- 氮化镓直流/直流转换系统