SGM48005-1XTS14G/TR
SGM48005-1XTS14G/TR
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- 品牌名称
- SGMICRO(圣邦微)
- 商品型号
- SGM48005-1XTS14G/TR
- 商品编号
- C5153867
- 商品封装
- TSSOP-14
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.204克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 工作电压 | 3V~15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 8ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
SGM48005是一款大电流MOSFET驱动器,具备双电源轨生成电路,采用单个电感即可同时产生正电源轨和负电源轨。凭借其独特的过冲消除机制和扩展的精密电源轨,SGM48005驱动栅极时无需串联阻尼电阻,可使栅极实现陡峭且干净的上升和下降沿,这对于运行频率高于几百kHz的开关模式电源的高功率设计至关重要。自适应过冲消除功能允许将驱动器与功率MOSFET放置在不同位置(温度区域),从而简化了电路布局和散热设计。反相输入缓冲器与地弹反相。结合其电流和电压迟滞特性,可确保高抗噪性和轻松的输入信号耦合。输入低电平到输出高电平的传播延迟可通过一个电阻进行编程,以实现图腾柱式开关配对且无直通现象。通过检测功率开关的饱和电压实现过流保护。 SGM48005采用绿色TSSOP - 14封装。其工作环境温度范围为 -40℃至 +125℃。
商品特性
- 正负大精密摆幅
- 12A峰值源电流和9A峰值灌电流
- 即使无阻尼电阻也无过冲
- 正负电源轨生成
- MOSFET导通延迟电阻可编程
- 距离1.5cm处快速上升/下降时间为2.9ns/3.6ns
- 具备远程放置能力,距离3cm处上升/下降时间为4ns/4ns
- 反相输入缓冲器,3V ~ 5V逻辑电平输入,具有电流迟滞和电压迟滞
- 检测MOSFET饱和电压以实现保护
- 可编程输出摆幅:SGM48005 - 1:摆幅ε = -4V ~ +15V;SGM48005 - 2:摆幅Δφ = -4V ~ +20V
- 最小和最大导通时间:250ns和400μs
- 工作温度范围为 -40℃至 +125℃
- 采用绿色TSSOP - 14封装
应用领域
- 高功率SiC MOSFET、Si MOSFET、IGBT电路
- 高功率开关模式电源
- 高功率电机驱动器
优惠活动
购买数量
(4000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个4000个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交0单
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