- 引脚图
- 焊盘图
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SGMNM12330TTEN6G/TR
SGMNM12330TTEN6G/TR
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- 品牌名称
- SGMICRO(圣邦微)
- 商品型号
- SGMNM12330TTEN6G/TR
- 商品编号
- C5153822
- 商品封装
- TDFN-6BL(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33.9nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.629nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 191pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 高功率和电流处理能力
- 低导通电阻
- 低总栅极电荷和电容损耗
- 符合RoHS标准且无卤素
应用领域
- PWM应用
- 功率负载开关
- 电池管理
- 无线充电器
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