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SGMNQ40430TPDA8G/TR
SGMNQ40430TPDA8G/TR
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- 品牌名称
- SGMICRO(圣邦微)
- 商品型号
- SGMNQ40430TPDA8G/TR
- 商品编号
- C5153825
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 63A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V,63A | |
| 耗散功率(Pd) | 27.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.1nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.156nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进技术制造。该技术使功率MOSFET具备更优异的特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷，尤其具有出色的雪崩特性。
商品特性
- 高耐用性
- 低RDS(ON)（典型值6.7mΩ）@ VGS = 10 V
- 低栅极电荷（典型值130nC）
- 改善的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
应用领域
- 同步整流
- 锂电池保护板
- 逆变器