SGM72002YUEC6G/TR
高线性度SPDT射频开关
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- 描述
- SGM72002是一款单刀双掷(SPDT)射频开关,支持从0.1GHz到3GHz的频率范围。该设备具有低插入损耗和高隔离度,适用于高线性和3G/4G传输/接收(TRx)应用。此外,它还具有高线性性能,不受蜂窝干扰,适用于多模和多频带LTE手机。
- 品牌名称
- SGMICRO(圣邦微)
- 商品型号
- SGM72002YUEC6G/TR
- 商品编号
- C5153357
- 商品封装
- UTDFN-6L(0.7x1.1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频开关 | |
| 电路结构 | 单刀双掷 | |
| 频率 | 100MHz~3GHz | |
| 隔离度 | 24dB | |
| 插入损耗 | 0.75dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| P1dB | 33dBm | |
| 工作电压 | 2.2V~3V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | - |
商品概述
SGM72002是一款单刀双掷天线开关,支持0.1GHz至3GHz频率范围。该器件具有低插入损耗和高隔离度的特点,适用于高线性度及3G/4G收发应用。它还具有高线性度性能的优势。该器件不受蜂窝干扰影响,适用于多模多频LTE手机。 SGM72002能够在SOI芯片上集成SPDT射频开关和GPIO控制器。GPIO控制器提供用于开关控制信号的内部驱动器和解码器,这使得其在射频路径频段和路由选择上非常灵活。 只要不施加外部直流电压,射频路径上就不需要外部直流阻断电容,这可以节省PCB面积和成本。 该器件采用绿色UTDFN-1.1×0.7-6L封装。
商品特性
- 电源电压范围:2.2V至3V
- GPIO控制器
- 工作频率范围:0.1GHz至3GHz
- 低插入损耗:在2.7GHz时典型值为0.4dB
- 高隔离度:在2.7GHz时最小值为24dB
- 先进的绝缘体上硅工艺
- 无需外部直流阻断电容
- 采用绿色UTDFN-1.1×0.7-6L封装
应用领域
- 3G/4G收发
- SGM72003YURK9G/TR
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- SGM72112BYULB18G/TR
- SGM72110YURC20G/TR
- SGM72112AYURE20G/TR
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