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SGM11108EYURB14G/TR引脚图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SGM11108EYURB14G/TR

单刀八掷高功率射频开关

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描述
SGM11108E是一种单刀八掷(SP8T)射频开关,支持从0.1GHz到3GHz的频率范围。该设备具有低插入损耗和高隔离度,适合2G/3G/4G传输/接收(TRx)应用。它还具有高线性性能,适用于多模式和多频段LTE手机。
品牌名称
SGMICRO(圣邦微)
商品型号
SGM11108EYURB14G/TR
商品编号
C5153359
商品封装
UTQFN-14L(2x2)​
包装方式
编带
商品毛重
0.051013克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录射频开关
电路结构单刀八掷
频率100MHz~3GHz
隔离度17dB
插入损耗0.7dB
属性参数值
P1dB37.5dBm
工作电压2.5V~3.4V
工作温度-40℃~+85℃
功能特性集成控制逻辑

商品概述

SGM11108E 是一款单刀八掷天线开关,支持 0.1GHz 至 3GHz 频率范围。该器件具有低插入损耗和高隔离度的特点,适用于 2G、3G、4G 发射/接收应用。它还具备高线性度性能的优势。该器件不受蜂窝干扰影响,适用于多模多频 LTE 手机。SGM11108E 能够将 SP8T 射频开关和 GPIO 控制器集成在单个 SOI 芯片上。GPIO 控制器为开关控制信号提供内部驱动器和解码器,这使得其在射频路径频段和路由选择上非常灵活。只要不施加外部直流电压,射频路径上无需外部直流阻断电容,这可以节省 PCB 面积和成本。该器件采用绿色 UTQFN-2×2-14L 封装。

商品特性

  • 电源电压范围:2.5V 至 3.4V
  • 集成 GPIO 控制器
  • 低插入损耗:在 2.7GHz 时典型值为 0.53dB
  • 工作频率范围:0.1GHz 至 3GHz
  • 高隔离度:在 2.7GHz 时最小值为 17dB
  • 先进的绝缘体上硅工艺
  • 无需外部直流阻断电容
  • 采用绿色 UTQFN-2×2-14L 封装

应用领域

  • 接收频段切换
  • 预功放切换
  • 2G/3G/4G 发射接收

数据手册PDF