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SWN6N70DB
耐压:700V 电流:6A
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- 描述
- 这种功率MOSFET采用先进技术制造，使功率MOSFET具有更好的特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷，特别是出色的雪崩特性。
- 品牌名称
- Samwin(芯派)
- 商品型号
- SWN6N70DB
- 商品编号
- C5151806
- 商品封装
- TO-251N
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.64克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 25.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.44nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进技术制造。该技术使功率MOSFET具备更优良的特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷，尤其是出色的雪崩特性。
商品特性
- 高耐用性
- 在VGS = 10V时，低RDS(ON)（典型值1.1Ω）
- 低栅极电荷（典型值30nC）
- 改善的dv/dt能力
- 100%经过雪崩测试
应用领域
- 充电器-LED-电脑电源