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SWNB4N65DA
耐压:650V 电流:4A
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- 描述
- 该功率MOSFET采用先进技术制造，具有更好的特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷，特别是出色的雪崩特性。
- 品牌名称
- Samwin(芯派)
- 商品型号
- SWNB4N65DA
- 商品编号
- C5151810
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.54克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.35Ω@10V,1.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 18.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 438pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.4pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进技术制造。该技术使功率MOSFET具备更优特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷，尤其具有出色的雪崩特性。
商品特性
- 高耐用性
- 栅源电压为10 V时，漏源导通电阻低（典型值0.14 Ω）
- 栅极电荷低（典型值129 nC）
- 改善的dv/dt能力
- 100%经过雪崩测试
应用领域
- 发光二极管（LED）
- 充电器
- 个人电脑（PC）电源