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SWJ6N80D
耐压:800V 电流:6A
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- 描述
- 特性：高耐用性。 低导通电阻 (RDS(ON))：典型值2.0Ω，VGS = 10V。 低栅极电荷：典型值32nC。 改善的dv/dt能力。 100%雪崩测试。应用：LED。 充电器
- 品牌名称
- Samwin(芯派)
- 商品型号
- SWJ6N80D
- 商品编号
- C5151784
- 商品封装
- TO-262N
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 186.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.19nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进技术制造。该技术使功率MOSFET具备更优特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷，尤其具有出色的雪崩特性。
商品特性
- 高耐用性
- 低RDS(ON)(典型值2.0 Ω)@ VGS = 10 V
- 低栅极电荷(典型值32 nC)
- 改善的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
应用领域
- LED
- 充电器
- 开关电源