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IRFBE30PBF
1个N沟道 耐压:800V 电流:4.1A
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- 描述
- 第三代功率MOSFET具备快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益等优点。TO-220AB封装普遍适用于所有功率耗散水平约为50W的商业-工业应用。TO-220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业中被广泛接受。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFBE30PBF
- 商品编号
- C5148531
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V,2.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个50个/管
总价金额：
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