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SISS42LDN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:100V 电流:39A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 极低的RDS × Qg品质因数（FOM）。 针对最低的RDS × Qoss FOM进行调整。 100%进行Rg和UIS测试。应用：同步整流。 初级侧开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISS42LDN-T1-GE3
- 商品编号
- C5148532
- 商品封装
- PowerPAK1212-8S
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 39A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.9mΩ@4.5V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 4.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.058nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进技术制造。该技术使功率MOSFET具备更优特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷，尤其具有出色的雪崩特性。
商品特性
- 高耐用性
- 栅源电压为10 V时，漏源导通电阻低（典型值7 Ω）
- 低栅极电荷（典型值7 nC）
- 改善的dv/dt能力
- 100%经过雪崩测试
应用领域
-充电器-适配器-发光二极管