商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 890pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻
- 快速开关
- 高输入电阻
- 符合RoHS标准
- 封装:TO-251或TO-252 (IPAK & DPAK)
应用领域
- 电子镇流器
- 电子变压器
- 开关模式电源