商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低栅极电荷
- 经过单脉冲雪崩耐量(UIS)测试,100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 无铅引脚镀层
- 无卤且符合RoHS标准
应用领域
- 电信、工业自动化、消费电子领域的电源管理
- 直流/直流 - 交流/直流子系统中的电流切换
- 电动工具中的电机驱动
- 电动汽车、机器人技术