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VBA10330
N+P沟道；电压：±30V；电流：6A/-5A；导通电阻：22/45(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；MSOP8；N+P—Channel沟道；±30V；6A/-5A；RDS(ON)=22/45(mΩ)(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.6/-1.75V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBA10330
- 商品编号
- C54301243
- 商品封装
- MSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.64克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A；5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V；45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W；3.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41.5nC；6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 620pF；510pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 57pF；33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF；95pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 根据IEC 61249 - 2 - 21定义为无卤产品
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rq和UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 电机驱动
- 移动电源