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IRF7530TRPBF-VB
N+N沟道；电压：30V；电流：6.5A；导通电阻：20(mΩ)
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；MSOP8；N+N—Channel沟道；30V；6.5A；RDS(ON)=20(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-1.6V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRF7530TRPBF-VB
- 商品编号
- C54301247
- 商品封装
- MSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3875克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.5nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 86pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%栅极电阻（Rg）测试
- 100%非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 笔记本系统电源
- 低电流直流-直流转换