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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FTE02P15G

1个P沟道 耐压:150V 电流:2.3A

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描述
增强型MOSFET
品牌名称
ARK(方舟微)
商品型号
FTE02P15G
商品编号
C5142124
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.14克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)2.3A
导通电阻(RDS(on))200mΩ@10V,1.3A
耗散功率(Pd)2.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.8V
栅极电荷量(Qg)35.1nC@120V
输入电容(Ciss)1.42nF
反向传输电容(Crss)38.4pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 低漏源导通电阻:采用超级结结构(DTMOS)时,RDS(ON) = 0.265 Ω(典型值)
  • 栅极开关易于控制
  • 增强型:Vth = 2.7 至 3.7 V(VDS = 10 V,ID = 0.6 mA)

应用领域

  • 开关稳压器

数据手册PDF