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FTE02P15G
1个P沟道 耐压:150V 电流:2.3A
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- 描述
- 增强型MOSFET
- 品牌名称
- ARK(方舟微)
- 商品型号
- FTE02P15G
- 商品编号
- C5142124
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35.1nC@120V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.42nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 用于低导通电阻RDS(ON)的高密度单元设计
- 坚固的多晶硅栅极单元结构
- 符合RoHS标准
- 可提供无卤产品
- 100%雪崩测试
应用领域
- 有源钳位复位的复位开关
- DC-DC转换器
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