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TK12A50W,S5X(M
1个N沟道 耐压:500V
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.265Ω（典型值），采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式：VDA = 2.7至3.7V，VDS = 10V，ID = 0.6mA。应用：开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK12A50W,S5X(M
- 商品编号
- C5139772
- 商品封装
- TO-220SIS
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.76克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 265mΩ@10V,5.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 215W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 890pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.8pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 23pF |
商品特性
- 低栅极电荷
- 采用高密度单元设计，实现超低导通电阻RDS(on)
- 静电放电（人体模型）保护能力高达2kV
应用领域
- 负载开关
- 脉宽调制应用
- 电源管理
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